MOSFET canal N onsemi 46 A 650 V N, 4 broches, TO-247 SiC Power
- Code commande RS:
- 229-6463
- Référence fabricant:
- NTH4L060N090SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 229-6463
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- NTH4L060N090SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | SiC Power | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 84mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 87nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 221W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 3.9V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Hauteur | 22.74mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série SiC Power | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 84mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 87nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 221W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 3.9V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.2mm | ||
Longueur 15.8mm | ||
Hauteur 22.74mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor série SiC Power MOSFET utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille.
Rendement le plus élevé
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
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