MOSFET canal N onsemi 142 A 650 V N, 4 broches, TO-247 SiC Power
- Code commande RS:
- 229-6458
- Référence fabricant:
- NTH4L015N065SC1
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
21,94 €
HT
26,33 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 02 septembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 21,94 € |
| 10 - 99 | 18,91 € |
| 100 + | 16,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-6458
- Référence fabricant:
- NTH4L015N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 142A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | SiC Power | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 283nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 4.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Hauteur | 22.74mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 142A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série SiC Power | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 283nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 4.8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.8mm | ||
Hauteur 22.74mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor série SiC Power MOSFET utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille.
Rendement le plus élevé
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 142 A 650 V N TO-247 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 46 A 650 V N TO-247 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 55 A 650 V N TO-247 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 62 A 650 V N TO-263 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 145 A 650 V N TO-263 SiC Power
- canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement Hip-247 SiC MOSFET AEC-Q101
- MOSFET canal N onsemi 203 A 100 V Enrichissement TO-263 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 70 A 650 V Enrichissement TO-247 NTHL