MOSFET canal N onsemi 145 A 650 V N, 7 broches, TO-263 SiC Power
- Code commande RS:
- 229-6442
- Référence fabricant:
- NTBG015N065SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 229-6442
- Référence fabricant:
- NTBG015N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 145A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SiC Power | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 283nC | |
| Tension directe Vf | 4.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.2mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Hauteur | 9.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 145A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SiC Power | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 283nC | ||
Tension directe Vf 4.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.2mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Hauteur 9.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor série SiC Power MOSFET utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille.
Rendement le plus élevé
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
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