MOSFET canal N onsemi 203 A 100 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 SiC Power
- Code commande RS:
- 229-6445
- Référence fabricant:
- NTBGS004N10G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
2 733,60 €
HT
3 280,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 13 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,417 € | 2 733,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-6445
- Référence fabricant:
- NTBGS004N10G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 203A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | SiC Power | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 178nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 240W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.2mm | |
| Hauteur | 9.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 203A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série SiC Power | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 178nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 240W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.2mm | ||
Hauteur 9.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor Power MOSFET est doté d'une technologie robuste pour une fiabilité extrême. Il est spécialement conçu pour les applications SOA larges à partir d'un bus 48 V.
Tolérance au remplacement à chaud avec une courbe SOA supérieure
Conforme ROHS
Réduit la perte de conduction
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 203 A 100 V Enrichissement TO-263 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 62 A 650 V N TO-263 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 145 A 650 V N TO-263 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 46 A 650 V N TO-247 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 55 A 650 V N TO-247 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 142 A 650 V N TO-247 SiC Power
- MOSFET canal N onsemi 203 A 80 V Enrichissement DFN NTMFS6H800N
- MOSFET canal N onsemi 203 A 80 V Enrichissement DFN NVMFS6H800N AEC-Q101