MOSFET canal N onsemi 55 A 650 V N, 4 broches, TO-247 SiC Power
- Code commande RS:
- 229-6460
- Référence fabricant:
- NTH4L045N065SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 229-6460
- Référence fabricant:
- NTH4L045N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | SiC Power | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Tension directe Vf | 4.4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 187W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 105nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Hauteur | 22.74mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série SiC Power | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Tension directe Vf 4.4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 187W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 105nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.8mm | ||
Hauteur 22.74mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor série SiC Power MOSFET utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille.
Rendement le plus élevé
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
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