MOSFET canal N onsemi 51 A 650 V N, 3 broches, TO-247-4L NTH

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327-809
Référence fabricant:
NTHL032N065M3S
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

51A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

NTH

Type de Boitier

TO-247-4L

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

44mΩ

Mode de canal

N

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

55nC

Tension directe Vf

4.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Les MOSFET SiC d'ON Semiconductor sont optimisés pour les applications de commutation rapide, avec une technologie planaire qui assure un fonctionnement fiable avec une tension de grille négative et des pointes de commutation sur la grille. Cette famille de MOSFET offre des performances optimales lorsqu'elle est pilotée par une commande de grille de 18 V, mais fonctionne également de manière efficace avec une commande de grille de 15 V.

Sans halogène et conforme à la directive RoHS

commande de porte 15V à 18V

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