MOSFET canal N onsemi 67 A 650 V Enrichissement, 4 broches, TO-247-4L NTH

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277-043
Référence fabricant:
NTH4L023N065M3S
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

67A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247-4L

Série

NTH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

23mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

69nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

245W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI

Pays d'origine :
CN
Les MOSFET SiC d'ON Semiconductor sont optimisés pour les applications à commutation rapide. La technologie planaire fonctionne de manière fiable avec une commande de tension de grille négative et élimine les pics sur la grille. Les performances sont optimales lorsqu'il est piloté par une commande de porte de 18V, mais il fonctionne également bien avec une commande de porte de 15V.

Charge de grille ultra-faible

Commutation à grande vitesse avec une faible capacité

Testé à 100 % en avalanche

L'appareil est sans halogène et conforme à la directive RoHS

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