MOSFET canal N onsemi 140 A 750 V Enrichissement, 7 broches, TO-247-4L NTH

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277-041
Référence fabricant:
NTH4L018N075SC1
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

140A

Tension Drain Source maximum Vds

750V

Type de Boitier

TO-247-4L

Série

NTH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

13.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

500W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

262nC

Tension directe Vf

4.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET SiC d'ON Semiconductor utilise une toute nouvelle technologie qui offre des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état ON et la taille compacte du circuit garantissent une capacité et charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent le plus haut rendement, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.

Charge de grille ultra-faible

Commutation à grande vitesse avec une faible capacité

Testé à 100 % en avalanche

L'appareil est sans halogène et conforme à la directive RoHS

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