MOSFET canal N onsemi 151 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, TO-247-4L NTH

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220-567
Référence fabricant:
NTH4L013N120M3S
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

151A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Série

NTH

Type de Boitier

TO-247-4L

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

13mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

22V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

254nC

Tension directe Vf

4.7V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

682W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

16.2mm

Largeur

15.6mm

Normes/homologations

Halide Free and RoHS with Exemption 7a

Hauteur

5mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Les MOSFETs de ON Semiconductor sont optimisés pour les applications de commutation rapide. La technologie planaire fonctionne de manière fiable avec une tension de grille négative et élimine les pointes sur la grille. Cette famille offre des performances optimales lorsqu'elle est commandée par un variateur de grille de 18 V, mais fonctionne également bien avec un variateur de grille de 15 V.

Sans halogénures

Conforme RoHS

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