MOSFET canal N onsemi 68 A 1.2 kV N, 4 broches, TO-247 NTH
- Code commande RS:
- 233-6853
- Référence fabricant:
- NTH4L022N120M3S
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 tube de 450 unités)*
4 513,05 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 450 + | 10,029 € | 4 513,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 233-6853
- Référence fabricant:
- NTH4L022N120M3S
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 68A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | NTH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 151nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 325W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -0.45V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Hauteur | 41.36mm | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 68A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série NTH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 151nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 325W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -0.45V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 5.2mm | ||
Hauteur 41.36mm | ||
Longueur 15.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1 200 V, M3S, TO-247-4L
on Semiconductor NTH4L022N120M3S est un transistor MOSFET à canal N simple de puissance SiC. Il est disponible dans un boîtier TO247-4L. Avec une tension de drain à la source de 1 200 V et un courant de drain continu de 68 A, le NTH4L022N120M3S est utilisé dans les applications telles que les inverseurs solaires, les stations de charge de véhicule électrique, les onduleurs (alimentations sans interruption), les systèmes de stockage d'énergie, les alimentations à découpage (SMPS).
Le RDS(on) typique pour ce dispositif est de 22 méch avec VGS de 18 V.
Le dispositif offre de faibles pertes de commutation
Il est testé à 100 % en avalanche
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