MOSFET onsemi canal N, TO-247-4L 68 A 1200 V, 4 broches

on Semiconductor NTH4L022N120M3S est un transistor MOSFET à canal N simple de puissance SiC. Il est disponible dans un boîtier TO247-4L. Avec une tension de drain à la source de 1 200 V et un courant de drain continu de 68 A, le NTH4L022N120M3S est utilisé dans les applications telles que les inverseurs solaires, les stations de charge de véhicule électrique, les onduleurs (alimentations sans interruption), les systèmes de stockage d'énergie, les alimentations à découpage (SMPS).

Le RDS(on) typique pour ce dispositif est de 22 méch avec VGS de 18 V.
Le dispositif offre de faibles pertes de commutation
Il est testé à 100 % en avalanche