MOSFET onsemi canal N, TO-247-4L 68 A 1200 V, 4 broches

Code commande RS:: 233-6854
Référence fabricant:: NTH4L022N120M3S
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, TO-247-4L 68 A 1200 V, 4 broches

438 En stock pour livraison sous 3 jour(s)

Uniquement disponible en livraison standard

Prix pour la pièce

17,13 €

20,56 €

Unité	Prix par unité
1 - 9	17,13 €
10 - 49	16,79 €
50 - 99	16,45 €
100 - 199	16,12 €
200 +	15,79 €

Code commande RS:: 233-6854
Référence fabricant:: NTH4L022N120M3S
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet - NTH4L022N120M3S

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1 200 V, M3S, TO-247-4L

on Semiconductor NTH4L022N120M3S est un transistor MOSFET à canal N simple de puissance SiC. Il est disponible dans un boîtier TO247-4L. Avec une tension de drain à la source de 1 200 V et un courant de drain continu de 68 A, le NTH4L022N120M3S est utilisé dans les applications telles que les inverseurs solaires, les stations de charge de véhicule électrique, les onduleurs (alimentations sans interruption), les systèmes de stockage d'énergie, les alimentations à découpage (SMPS).

Le RDS(on) typique pour ce dispositif est de 22 méch avec VGS de 18 V.
Le dispositif offre de faibles pertes de commutation
Il est testé à 100 % en avalanche

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	68 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Type de boîtier	TO-247-4L
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	0,03 Ω
Tension de seuil maximale de la grille	4.4V
Matériau du transistor	SiC
Nombre d'éléments par circuit	1