MOSFET N onsemi 70 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247-3L NTH
- Code commande RS:
- 277-044
- Référence fabricant:
- NTHL023N065M3S
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
10,27 €
HT
12,32 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,27 € |
| 10 - 99 | 9,25 € |
| 100 - 499 | 8,52 € |
| 500 - 999 | 7,91 € |
| 1000 + | 6,42 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 277-044
- Référence fabricant:
- NTHL023N065M3S
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | NTH | |
| Type de Boitier | TO-247-3L | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 69nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 263W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série NTH | ||
Type de Boitier TO-247-3L | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 69nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 263W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
Standard automobile Non | ||
Les MOSFET SiC d'ON Semiconductor sont optimisés pour les applications à commutation rapide. La technologie planaire fonctionne de manière fiable avec une commande de tension de grille négative et élimine les pics sur la grille. Les performances sont optimales lorsqu'il est piloté par une commande de porte de 18V, mais il fonctionne également bien avec une commande de porte de 15V.
Charge de grille ultra-faible
Commutation à grande vitesse avec une faible capacité
Testé à 100 % en avalanche
L'appareil est sans halogène et conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 40 A 650 V Enrichissement TO-247 NTH
- MOSFET N onsemi 67 A 650 V Enrichissement TO-247-4L NTH
- MOSFET N onsemi 50 A 650 V N TO-247-4L NTH
- MOSFET N onsemi 51 A 650 V N TO-247-4L NTH
- MOSFET N onsemi 70 A 650 V Enrichissement TO-247 NTHL
- MOSFET N onsemi 58 A 1200 V Enrichissement TO-247 NTH
- MOSFET N onsemi 84 A 1200 V Enrichissement TO-247 NTH
- MOSFET N onsemi 29 A 1200 V Enrichissement TO-247 NTH
