MOSFET canal N onsemi 203 A 100 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 SiC Power

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229-6446
Référence fabricant:
NTBGS004N10G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

203A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263

Série

SiC Power

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

4.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

240W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

178nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.7mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.2mm

Hauteur

9.4mm

Standard automobile

Non

on Semiconductor Power MOSFET est doté d'une technologie robuste pour une fiabilité extrême. Il est spécialement conçu pour les applications SOA larges à partir d'un bus 48 V.

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