- Code commande RS:
- 229-6462
- Référence fabricant:
- NTH4L060N090SC1
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
---|---|---|
450 + | 7,876 € | 3 544,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-6462
- Référence fabricant:
- NTH4L060N090SC1
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
on Semiconductor série SiC Power MOSFET utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille.
Rendement le plus élevé
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 46 A |
Tension Drain Source maximum | 650 V |
Type de boîtier | TO247-4 |
Série | SiC Power |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 4 |
Résistance Drain Source maximum | 0,084 Ω |
Tension de seuil maximale de la grille | 4.3V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Matériau du transistor | SiC |
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