MOSFET canal N onsemi 46 A 650 V N, 4 broches, TO-247 SiC Power
- Code commande RS:
- 229-6462
- Référence fabricant:
- NTH4L060N090SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 229-6462
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- NTH4L060N090SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SiC Power | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 84mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 221W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 3.9V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 87nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 22.74mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SiC Power | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 84mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 221W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 3.9V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 87nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5.2mm | ||
Longueur 15.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 22.74mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor série SiC Power MOSFET utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille.
Rendement le plus élevé
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
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