MOSFET canal N Infineon 46 A 650 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-064
- Référence fabricant:
- IMW65R040M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
10,39 €
HT
12,47 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 219 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,39 € |
| 10 - 99 | 9,37 € |
| 100 - 499 | 8,63 € |
| 500 - 999 | 8,00 € |
| 1000 + | 7,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-064
- Référence fabricant:
- IMW65R040M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-TO-247 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 49mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 172W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-TO-247 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 49mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 172W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, offrant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une facilité d'utilisation excellente. Ce MOSFET est conçu pour permettre des conceptions rentables, hautement efficaces et simplifiées, répondant aux exigences toujours croissantes des systèmes et des marchés modernes de l'énergie. Il s'agit d'une solution idéale pour obtenir une grande efficacité du système dans une large gamme d'applications, en offrant des performances fiables et des fonctionnalités supérieures.
Pertes de commutation très faibles
Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V
Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire
Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure
La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 46 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 38 A 650 V Enrichissement PG-TO-247 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 93 A 650 V Enrichissement PG-TO-247 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 83 A 650 V Enrichissement PG-TO-247 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 46 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 24 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 20 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 53 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolSiC