MOSFET canal N Infineon 83 A 650 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-063
- Référence fabricant:
- IMW65R020M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-063
- Référence fabricant:
- IMW65R020M2HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 83A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-TO-247 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 273W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 57nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 83A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-TO-247 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 273W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 57nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, offrant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une facilité d'utilisation excellente. Ce MOSFET est conçu pour permettre des conceptions rentables, hautement efficaces et simplifiées, répondant aux exigences toujours croissantes des systèmes et des marchés modernes de l'énergie. Il s'agit d'une solution idéale pour obtenir une grande efficacité du système dans une large gamme d'applications, en offrant des performances fiables et des fonctionnalités supérieures.
Pertes de commutation très faibles
Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V
Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire
Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure
La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
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