MOSFET canal N Infineon 24 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolSiC

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232-0397
Référence fabricant:
IMW65R083M1HXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

24A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolSiC

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

111mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Infineon est doté d'un transistor MOSFET SiC fournissant des performances fiables et économiques dans un boîtier TO247 à 3 broches. La technologie MOSFET CoolSiC tire parti des caractéristiques physiques solides du carbure de silicium, ajoutant des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Le transistor MOSFET 650 V est construit sur un semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour ne permettre aucun compromis en obtenant à la fois les pertes les plus faibles dans l'application et la plus grande fiabilité de fonctionnement.

Faibles capacités

Comportement de commutation optimisé à des courants plus élevés

Fiabilité supérieure de l'oxyde de grille

Excellent comportement thermique

Capacité d'avalanche accrue

Fonctionne avec les drivers standard

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