MOSFET canal N onsemi 58 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, TO-247 NTH AEC-Q101
- Code commande RS:
- 254-7669
- Référence fabricant:
- NTH4L025N065SC1
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | 13,086 € | 5 888,70 € |
| 900 - 900 | 12,825 € | 5 771,25 € |
| 1350 + | 12,568 € | 5 655,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 254-7669
- Référence fabricant:
- NTH4L025N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 58A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | NTH | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 4.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 164nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 117W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 58A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série NTH | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 4.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 164nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 117W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) TO-247-4L - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
La série NTH d'ON Semiconductor de MOSFET en carbure de silicium utilise une technologie entièrement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium. En outre, avec une faible résistance à l'état passant et une taille de circuit compacte. Il garantit une faible capacité et une charge de grille. Par conséquent, les avantages du système incluent le plus haut rendement, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.
Utilisé dans les télécommunications, charge de grille ultra-faible, commutation rapide et faible capacité
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