MOSFET onsemi canal N, A-247 75 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus basses. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, SUPERFET III MOSFET est très adapté aux différents systèmes d'alimentation pour la miniaturisation et une efficacité accrue. Les performances de récupération inverse optimisées de la diode de caisse du SUPERFET III FRFET MOSFET peuvent enlever des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système.

700 V @ TJ = 150 °C
Très faible charge de grille (typ. Qg = 259 nC)
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 1 972 pF)
Compatible PPAP
Typ. RDS(on) = 27,4 mΩ
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Perte de commutation plus faible
Compatible PPAP
Applications
Convertisseur CC/CC HT
Produits finis
Chargeur à bord
Convertisseur c.c./c.c.