MOSFET N onsemi 58 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 NTH

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Code commande RS:
202-5699
Référence fabricant:
NTH4L040N120SC1
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

58A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

TO-247

Série

NTH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

56mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

106nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

319W

Tension directe Vf

3.7V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

22.74mm

Longueur

15.8mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) TO-247-4L - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, TO-247-4L


Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 29 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans l'alimentation sans interruption, l'inverseur de boost, l'entraînement de moteur industriel, le chargeur PV.

Drain de 40 mO à la source sur résistance

Très faible charge de grille

Testé à 100 % en avalanche

Sans plomb

Conforme à la directive RoHS

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