MOSFET canal N onsemi 60 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, TO-247 NTH
- Code commande RS:
- 202-5705
- Référence fabricant:
- NTHL040N120SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5705
- Référence fabricant:
- NTHL040N120SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | NTH | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 56mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 348W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 106nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.82mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 20.25mm | |
| Hauteur | 15.87mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série NTH | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 56mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 348W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 106nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.82mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 20.25mm | ||
Hauteur 15.87mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) TO-247-3L - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, TO-247-3L
Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 60 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans l'alimentation sans interruption, le convertisseur c.c./c.c., l'inverseur de boost.
Drain de 40 mO à la source sur résistance
Très faible charge de grille
Testé à 100 % en avalanche
Sans plomb
Conforme à la directive RoHS
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