MOSFET de puissance N STMicroelectronics 96 A 60 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerFLAT STH285N10F8-6AG
- Code commande RS:
- 800-463
- Référence fabricant:
- STL130N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 800-463
- Référence fabricant:
- STL130N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Canal N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 96A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | STH285N10F8-6AG | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8mΩ | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 93W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK | |
| Largeur | 5mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 96A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série STH285N10F8-6AG | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 93W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations ECOPACK | ||
Largeur 5mm | ||
Longueur 6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille en tranchée améliorée qui se traduit par une très faible résistance à l'état sous tension, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
L'un des RDS(on) les plus bas du marché
Excellent FoM (figure du mérite)
Faible rapport Crss/Ciss pour une immunité EMI
Haute résistance aux avalanches
Niveau logique VGS(th)
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