MOSFET de puissance Mode d'amélioration canal N STMicroelectronics 126 A 80 V N, 8 broches, PowerFLAT STL Non
- Code commande RS:
- 898-599
- Référence fabricant:
- STL110N8F8
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 898-599
- Référence fabricant:
- STL110N8F8
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 126A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STL | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 47nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Configuration du transistor | Mode d'amélioration | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK2 | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 5.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 126A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STL | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Configuration du transistor Mode d'amélioration | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations ECOPACK2 | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 5.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à mode d'amélioration à canal N de STMicroelectronics est conçu dans la technologie STripFET F8 avec une structure de grille à tranchée améliorée. Il garantit une figure de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
Grade MSL1
100 % testé contre les avalanches
Faible charge de grille
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