MOSFET de puissance N STMicroelectronics 292 A 100 V Mode d'amélioration, 3 broches, H2PAK-2 STH285N10F8-2AG AEC-Q101
- Code commande RS:
- 800-459
- Référence fabricant:
- STH285N10F8-2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 10 - 24 | 2,94 € |
| 25 - 99 | 2,87 € |
| 100 + | 2,69 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 800-459
- Référence fabricant:
- STH285N10F8-2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | Canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 292A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | H2PAK-2 | |
| Série | STH285N10F8-2AG | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.9mΩ | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 177nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 341W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 4V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK | |
| Hauteur | 15.8mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal Canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 292A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier H2PAK-2 | ||
Série STH285N10F8-2AG | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.9mΩ | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 177nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 341W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 4V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Normes/homologations ECOPACK | ||
Hauteur 15.8mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N de 100 V de STMicroelectronics est conçu dans la technologie STripFET F8 avec une structure de grille de tranchée améliorée.
Certifié AEC-Q101
Température maximale de jonction de fonctionnement de 175 °C
100 % testé contre les avalanches
Excellent FoM (figure du mérite)
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