MOSFET de puissance Canal MOSFET N canal N STMicroelectronics 2.6 A 1.5 kV MOSFET, 3 broches, H2PAK-2 STH4N150 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 877-308
- Référence fabricant:
- STH4N150-2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Visuel non contractuel
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 724,00 €
HT
3 269,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 31 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 2,724 € | 2 724,00 € |
| 2000 - 4000 | 2,656 € | 2 656,00 € |
| 5000 + | 2,552 € | 2 552,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 877-308
- Référence fabricant:
- STH4N150-2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.5kV | |
| Type de Boitier | H2PAK-2 | |
| Série | STH4N150 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10Ω | |
| Mode de canal | MOSFET | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 35.1nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Configuration du transistor | Canal MOSFET N | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 15.8mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.5kV | ||
Type de Boitier H2PAK-2 | ||
Série STH4N150 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω | ||
Mode de canal MOSFET | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 35.1nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Configuration du transistor Canal MOSFET N | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 15.8mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics a été développé à l'aide du PowerMESH duo-sphérique. Ce dispositif est conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour le marché automobile.
Charge de grille très faible
100 % testé contre les avalanches
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance Canal MOSFET N canal N STMicroelectronics 2.6 A 1500 V MOSFET H2PAK-2 STH4N150 AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 1500 V Enrichissement H2PAK MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 1.5 A 1200 V Enrichissement H2PAK-2 MDmesh K5
- MOSFET canal N STMicroelectronics 21 A 1200 V Enrichissement H2PAK-2 MDmesh K5
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 292 A 100 V Mode d'amélioration H2PAK-2 STH285N10F8-2AG
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 6 A 1200 V Mode d'amélioration H2PAK-2 STH285N10F8-6AG
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 51 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 STH65N AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 1200 V H2PAK-7 SCT0 AEC-Q101