MOSFET canal N onsemi 1.7 A 60 V, 3 broches, SOT-23 FDN

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
838-618
Référence fabricant:
FDN5630
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1.7A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Série

FDN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.1Ω

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

0.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.9mm

Largeur

1.4mm

Hauteur

1.4mm

Standard automobile

Non

Le MOSFET à canal N d'Onsemi est principalement conçu pour améliorer l'efficacité des convertisseurs c. c. -c. c. à l'aide de contrôleurs PWM à commutation.

Optimisé pour les applications à haute fréquence, garantissant de meilleures performances

Offre de faibles valeurs R DS(on), améliorant l'efficacité dans les conceptions compactes

Intègre des capacités de commutation rapide pour des vitesses opérationnelles améliorées

Disponible dans un boîtier sans plomb et sans halogène pour la conformité environnementale

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