MOSFET P onsemi 2 A 20 V, 3 broches, SOT-23 FDN

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
838-639
Référence fabricant:
FDN340P
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

FDN

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

0.5W

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.2nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.4mm

Largeur

1.4mm

Longueur

2.9mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à canal P d'Onsemi est conçu pour des applications de commutation efficaces avec une résistance à l'état passant réduite et une faible charge de grille. Ce dispositif excelle dans la gestion de l'alimentation et la commutation de charge pour l'électronique portable.

Capable de gérer un courant de 2 A avec une tension nominale maximale de 20 V

Utilise une technologie avancée pour obtenir une faible résistance à l'état passant à plusieurs tensions de grille

Conçu avec une gestion de puissance élevée dans un boîtier SOT-23 pour des performances thermiques améliorées

Sans plomb, sans halogène/sans BFR, garantissant la conformité aux normes environnementales

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