MOSFET de puissance canal N Vishay 63 A 650 V, 8 broches, PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 851-497
- Référence fabricant:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
7,31 €
HT
8,77 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 26 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,31 € |
| 10 - 99 | 4,90 € |
| 100 - 499 | 3,94 € |
| 500 - 999 | 3,50 € |
| 1000 + | 3,31 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 851-497
- Référence fabricant:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.04Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5.25mm | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 Qualified | |
| Longueur | 6.05mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.04Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5.25mm | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 Qualified | ||
Longueur 6.05mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- KR
Le transistor MOSFET de puissance Vishay est conçu pour les applications de commutation haute performance, offrant une gestion efficace des charges électriques avec un rendement supérieur et de faibles pertes d'énergie.
Utilise la technologie de la série E de quatrième génération pour des performances améliorées
Offre une faible résistance à l'état passant, réduisant la dissipation d'énergie
Capable de gérer une capacité efficace élevée pour un fonctionnement fiable
Fournit une réduction significative des pertes de commutation et de conduction
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance canal N Vishay 87 A 650 V PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Vishay 26 A 650 V Épuisement PowerPAK 8 x 8 EF AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Vishay 40 A 650 V Épuisement PowerPAK 10 x 12 EF AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Vishay 33 A 650 V Épuisement PowerPAK 10 x 12 EF AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Vishay 116 A 80 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Vishay 19 A 60 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Vishay 20 A 250 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Vishay 100 A 60 V N PowerPAK TrenchFET AEC-Q101