MOSFET P Vishay -1.7 A -60 V P, 3 broches, SOT-23 SQ AEC-Q101
- Code commande RS:
- 878-890
- Référence fabricant:
- SQ2309CES-T1_NE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité, sur un ruban de 1)*
0,61 €
HT
0,73 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,61 € |
| 10 - 99 | 0,28 € |
| 100 - 499 | 0,24 € |
| 500 - 2999 | 0,18 € |
| 3000 + | 0,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 878-890
- Référence fabricant:
- SQ2309CES-T1_NE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Canal P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -1.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | SQ | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.335Ω | |
| Mode de canal | P | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Largeur | 2.64mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Canal P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -1.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série SQ | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.335Ω | ||
Mode de canal P | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Largeur 2.64mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- GB
Le transistor MOSFET à canal P de Vishay Automotive est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation dans les applications automobiles. Grâce à sa construction robuste et à sa grande fiabilité, il garantit des performances optimales dans des conditions extrêmes.
Qualification AEC-Q101 pour les applications automobiles
La technologie TrenchFET maximise l'efficacité et réduit la perte de puissance
La faible résistance à l'état passant garantit une production de chaleur minimale
Une large gamme de températures permet de répondre aux besoins de divers environnements opérationnels
Testé à 100 % R et UIS pour une fiabilité accrue
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay 1.7 A 60 V Enrichissement SOT-23 SQ AEC-Q101
- MOSFET P Vishay -2.8 A -60 V P SOT-23 SQ AEC-Q101
- MOSFET P Vishay 3 A 12 V Enrichissement SOT-23 SQ Rugged AEC-Q101
- MOSFET de puissance P Vishay 2.8 A 60 V Enrichissement SOT-23 SQ AEC-Q101
- MOSFET P Vishay 2.2 A 20 V Enrichissement SOT-23 SQ Rugged AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 8 A 30 V Enrichissement SOT-23 SQ AEC-Q101
- MOSFET N DiodesZetex 1.7 A 20 V Enrichissement SOT-23 AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 330 A 40 V N PowerPAK SO-8L SQ AEC-Q101