Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Microchip 266 A 1200 V Enrichissement Phase Leg SiC MOSFET Non

Sous-total (1 unité)*

128,81 €

HT

154,57 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 juin 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +128,81 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
931-018
Référence fabricant:
MSCSMC120AM04TBZ2AEG
Marque:
Microchip
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Microchip

Type de canal

Canal N

Type de produit

Modules MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

266A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Série

Phase Leg SiC MOSFET

Type de montage

Montage direct

Résistance Drain Source maximum Rds

6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

23V

Tension directe Vf

4.7V

Dissipation de puissance maximum Pd

766W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

726nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Demi-pont

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le module d'alimentation Advanced de Microchip offre une solution de phase extrêmement efficace, conçue spécifiquement pour les applications exigeantes où la fiabilité et les performances sont essentielles.

Utilise la technologie au carbure de silicium pour réduire la perte d'énergie

Offre une faible dérive thermique R, garantissant un fonctionnement stable

Intègre une thermistance interne pour un contrôle précis de la température

Offre des performances exceptionnelles dans les environnements à haute fréquence

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.