Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Microchip 266 A 1200 V Enrichissement Phase Leg SiC MOSFET Non
- Code commande RS:
- 931-018
- Référence fabricant:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 unité)*
128,81 €
HT
154,57 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 07 juin 2027
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 128,81 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 931-018
- Référence fabricant:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- Marque:
- Microchip
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | Canal N | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 266A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | Phase Leg SiC MOSFET | |
| Type de montage | Montage direct | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Tension directe Vf | 4.7V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 766W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 726nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Demi-pont | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal Canal N | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 266A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série Phase Leg SiC MOSFET | ||
Type de montage Montage direct | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Tension directe Vf 4.7V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 766W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 726nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Demi-pont | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Nos clients ont également consulté
- ROHM Carte d'évaluation demi-pont SiC MOSFET de 4e génération MOSFET SiC SiC MOSFET Démarrage de moteur
- STMicroelectronics Préamplificateur octal demi-pont pour automobile Driver demi-pont L99MH98 MOSFETs à canal N
- Infineon EVAL1ED3145MC12HSICTOBO1 Driver demi-pont EVAL-1ED3145MC12H-SIC 1ED3145MC12H
- Infineon EVAL1ED3142MC12HSICTOBO1 Driver demi-pont EVAL-1ED3142MC12H-SIC 1ED3142MC12H
- Infineon EVAL1ED3144MC12HSICTOBO1 Driver demi-pont EVAL-1ED3144MC12H-SIC 1ED3144MC12H
- Infineon Pilote de grille triphasé 1200 V pour IGBT/SiC avec diode bootstrap intégrée et OCP MOSFET 6ED2231S12T IGBT/SiC
- MOSFET Demi-pont canal N Wolfspeed 450 A 1.2 kV Non
- MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 1.2 kV Enrichissement H2PAK-2 SiC MOSFET
