MOSFET N STMicroelectronics 35 A 710 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh M5

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Code commande RS:
103-2001
Référence fabricant:
STF45N65M5
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

35A

Tension Drain Source maximum Vds

710V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh M5

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

78mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

82nC

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

16.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics


Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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