MOSFET canal N Nexperia 310 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 2N7002PW AEC-Q101

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Code commande RS:
103-8094
Référence fabricant:
2N7002PW,115
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

310mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

2N7002PW

Type de Boitier

SC-70

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.6Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

260mW

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.6nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1mm

Largeur

1.35mm

Longueur

2.2mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY

Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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