MOSFET onsemi canal N/P, WDFN 4,1 A, 4,6 A 20 V, 6 broches

Code commande RS:: 121-6306
Référence fabricant:: NTLJD3119CTBG
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N/P, WDFN 4,1 A, 4,6 A 20 V, 6 broches

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,282 €	846,00 €

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Code commande RS:: 121-6306
Référence fabricant:: NTLJD3119CTBG
Marque:: onsemi

Datasheet

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Attribut	Valeur
Type de canal	N, P
Courant continu de Drain maximum	4,1 A, 4,6 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	WDFN
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	120 mΩ, 200 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	2,3 W
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Longueur	2mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	3,7 nC @ 4,5 V, 5,5 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	2mm
Hauteur	0.75mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

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