MOSFET canal N DiodesZetex 200 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- Code commande RS:
- 122-2415
- Référence fabricant:
- ZVN3310A
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 sachet de 4000 unités)*
1 256,00 €
HT
1 508,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,314 € | 1 256,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 122-2415
- Référence fabricant:
- ZVN3310A
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 625mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.01mm | |
| Largeur | 2.41mm | |
| Longueur | 4.77mm | |
| Standard automobile | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 625mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.01mm | ||
Largeur 2.41mm | ||
Longueur 4.77mm | ||
Standard automobile AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
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