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    MOSFET Infineon canal N, , TO-220AB 60 A 60 V, 3 broches

    Code commande RS:
    123-6144
    Référence fabricant:
    IRF60B217
    Marque:
    Infineon
    Infineon
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    Ce produit n’est plus distribué
    Code commande RS:
    123-6144
    Référence fabricant:
    IRF60B217
    Marque:
    Infineon

    Législation et Conformité


    Détail produit

    Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon


    La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.


    Transistors MOSFET, Infineon


    Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum60 A
    Tension Drain Source maximum60 V
    Type de boîtierTO-220AB
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum9 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille3.7V
    Tension de seuil minimale de la grille2.1V
    Dissipation de puissance maximum83 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Charge de Grille type @ Vgs44 nC @ 10 V
    Largeur4.83mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Longueur10.67mm
    Matériau du transistorSi
    Température d'utilisation maximum+175 °C
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    SérieStrongIRFET
    Hauteur16.51mm
    Tension directe de la diode1.2V
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