Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 70 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220

Code commande RS:: 124-1664
Référence fabricant:: RFP70N06
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 70 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 200	1,212 €	60,60 €
250 - 950	1,181 €	59,05 €
1000 - 2450	1,151 €	57,55 €
2500 +	1,122 €	56,10 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-1664
Référence fabricant:: RFP70N06
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	70A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	14mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	120nC
	Tension directe Vf	1.1V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	4.83mm
	Hauteur	9.4mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.67mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 70A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 14mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 120nC
	Tension directe Vf 1.1V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 4.83mm
	Hauteur 9.4mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.67mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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