Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 220 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS138 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Code commande RS:: 124-1694
Référence fabricant:: BSS138
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 220 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS138 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

135,00 €

162,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Pénurie d'approvisionnement

3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 120 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 octobre 2026

Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 12000	0,045 €	135,00 €
15000 +	0,044 €	132,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-1694
Référence fabricant:: BSS138
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	220mA
	Tension Drain Source maximum Vds	50V
	Type de Boitier	SOT-23
	Série	BSS138
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	3.5Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.7nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	360mW
	Tension directe Vf	800mV
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	1.3mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	930μm
	Longueur	2.92mm
	Standard automobile	AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 220mA
	Tension Drain Source maximum Vds 50V
	Type de Boitier SOT-23
	Série BSS138
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 3.5Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.7nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 360mW
	Tension directe Vf 800mV
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 1.3mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 930μm
	Longueur 2.92mm
	Standard automobile AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Datasheet - BSS138

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.