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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type N, Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	9A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	PowerTrench
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	5
	Résistance Drain Source maximum Rds	54mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20, -20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Drain commun
	Hauteur	2.39mm
	Longueur	6.73mm
	Largeur	6.22mm
	Nombre d'éléments par circuit	2

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	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type N, Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 9A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série PowerTrench
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 5
	Résistance Drain Source maximum Rds 54mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20, -20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Drain commun
	Hauteur 2.39mm
	Longueur 6.73mm
	Largeur 6.22mm
	Nombre d'éléments par circuit 2

Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation de l'efficacité du système et de la densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille (Qg), une petite charge de récupération inversée (Qrr) et une diode de corps de récupération inversée souple, ce qui contribue à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.

Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® utilisent une structure à grille blindée qui fournit un équilibre de charge. Grâce à cette technologie avancée, le FOM (Figure of Merit) de ces dispositifs est nettement inférieur à celui de la génération précédente.

Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits dénudeurs ou de remplacer un transistor MOSFET à tension nominale supérieure.

Transistors MOSFET, ON Semi

Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.

MOSFET 2 canal Type N, Type P Drain commun onsemi 9 A 40 V Enrichissement, 5 broches, TO-252 PowerTrench

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Transistors MOSFET, ON Semi

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