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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Type de canal	Type N, Type P
	Configuration du transistor	Drain commun
	Courant continu de Drain maximum (Id)	9 A
	Tension Drain Source maximum (Vds)	40 V
	Mode de canal	Enrichissement
	Nombre de broches	5
	Type de Boitier	TO-252
	Série	PowerTrench
	Hauteur	2.39 mm
	Longueur	6.73 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds)	54 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs)	20 V, -20 V
	Température d'utilisation maximum	150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd)	3.1 W
	Température minimum de fonctionnemen	-55 °C
	Type de montage	En surface
	Largeur	6.22 mm

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	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Type de canal Type N, Type P
	Configuration du transistor Drain commun
	Courant continu de Drain maximum (Id) 9 A
	Tension Drain Source maximum (Vds) 40 V
	Mode de canal Enrichissement
	Nombre de broches 5
	Type de Boitier TO-252
	Série PowerTrench
	Hauteur 2.39 mm
	Longueur 6.73 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds) 54 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs) 20 V, -20 V
	Température d'utilisation maximum 150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd) 3.1 W
	Température minimum de fonctionnemen -55 °C
	Type de montage En surface
	Largeur 6.22 mm

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

MOSFET 2 canal Type N, Type P Drain commun onsemi 9 A 40 V Enrichissement, 5 broches, TO-252 PowerTrench

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

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