Références fabricant

MOSFET 2 canal Type N, Type N, Type P, Type P Isolé onsemi 6.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non

Code commande RS:: 166-2595
Référence fabricant:: FDS4897C
Marque:: onsemi

MOSFET 2 canal Type N, Type N, Type P, Type P Isolé onsemi 6.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non

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Code commande RS:: 166-2595
Référence fabricant:: FDS4897C
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Type de canal	Type N, Type N, Type P, Type P
	Configuration du transistor	Isolé
	Courant continu de Drain maximum (Id)	6.2 A
	Tension Drain Source maximum (Vds)	40 V
	Mode de canal	Enrichissement
	Nombre de broches	8
	Type de Boitier	SOIC
	Série	PowerTrench
	Standard automobile	Non
	Tension directe (Vf)	700 mV
	Hauteur	1.5 mm
	Longueur	5 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds)	63 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs)	-20 V, +20 V
	Température d'utilisation maximum	150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd)	2 W
	Température minimum de fonctionnemen	-55 °C
	Type de montage	En surface
	Normes/homologations	RoHS Compliant
	Charge de porte typique (Qg) @ Vgs	20 nC
	Largeur	4 mm

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Type de canal Type N, Type N, Type P, Type P
	Configuration du transistor Isolé
	Courant continu de Drain maximum (Id) 6.2 A
	Tension Drain Source maximum (Vds) 40 V
	Mode de canal Enrichissement
	Nombre de broches 8
	Type de Boitier SOIC
	Série PowerTrench
	Standard automobile Non
	Tension directe (Vf) 700 mV
	Hauteur 1.5 mm
	Longueur 5 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds) 63 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs) -20 V, +20 V
	Température d'utilisation maximum 150 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd) 2 W
	Température minimum de fonctionnemen -55 °C
	Type de montage En surface
	Normes/homologations RoHS Compliant
	Charge de porte typique (Qg) @ Vgs 20 nC
	Largeur 4 mm

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-SOIC

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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