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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	Type N, Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	6.2A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	PowerTrench
	Type de Boitier	SOIC
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	63mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	0.7V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	20nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	2W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Isolé
	Hauteur	1.5mm
	Largeur	4mm
	Normes/homologations	RoHS Compliant
	Longueur	5mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de canal Type N, Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 6.2A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série PowerTrench
	Type de Boitier SOIC
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 63mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 0.7V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 2W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Isolé
	Hauteur 1.5mm
	Largeur 4mm
	Normes/homologations RoHS Compliant
	Longueur 5mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Les MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation de l'efficacité du système et de la densité de puissance. Ils combinent une petite charge de grille (Qg), une petite charge de récupération inversée (Qrr) et une diode de corps de récupération inversée souple, ce qui contribue à la commutation rapide de la rectification synchrone dans les alimentations c.a./c.c.

Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® utilisent une structure à grille blindée qui fournit un équilibre de charge. Grâce à cette technologie avancée, le FOM (Figure of Merit) de ces dispositifs est nettement inférieur à celui de la génération précédente.

Les performances de la diode à corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits dénudeurs ou de remplacer un transistor MOSFET à tension nominale supérieure.

Transistors MOSFET, ON Semi

Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.

MOSFET 2 canal Type N, Type P Isolé onsemi 6.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non

Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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