MOSFET 2 canal Type N, Type P Isolé onsemi 6.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 671-0539
- Référence fabricant:
- FDS4897C
- Marque:
- onsemi
Temporairement en rupture de stock
- Code commande RS:
- 671-0539
- Référence fabricant:
- FDS4897C
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N, Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 63mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 700mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Largeur | 4mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N, Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 63mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 700mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Largeur 4mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal Type N Type P 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P Isolé onsemi 2.3 A 60 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P Isolé onsemi 6.9 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non
- MOSFET 2 canal Type P Isolé onsemi 6 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench Non