MOSFET P onsemi 15.5 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252
- Code commande RS:
- 124-5398
- Référence fabricant:
- NTD20P06LT4G
- Marque:
- onsemi
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1 095,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,438 € | 1 095,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-5398
- Référence fabricant:
- NTD20P06LT4G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 150mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.38mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 150mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.22mm | ||
Hauteur 2.38mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CZ
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
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