MOSFET onsemi canal P, DPAK (TO-252) 5,7 A 200 V, 3 broches

Code commande RS:: 671-1034
Référence fabricant:: FQD7P20TM
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal P, DPAK (TO-252) 5,7 A 200 V, 3 broches

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Code commande RS:: 671-1034
Référence fabricant:: FQD7P20TM
Marque:: onsemi

Documentation technique

Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin DPAK

Législation et Conformité

Détail produit

MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor

La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.

Caractéristiques et avantages :

Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS

Applications :

Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	5,7 A
Tension Drain Source maximum	200 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	690 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	3V
Dissipation de puissance maximum	2,5 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs	19 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	6.6mm
Hauteur	2.3mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C