MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 100 A 60 V, 8 broches

Code commande RS:: 130-0973P
Référence fabricant:: IRFH5006TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 100 A 60 V, 8 broches

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Code commande RS:: 130-0973P
Référence fabricant:: IRFH5006TRPBF
Marque:: Infineon

IRFH5006PbF, HEXFET Power MOSFET 60V

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	100 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	PQFN 5 x 6
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	4,1 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	156 W
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	69 nC @ 20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	5mm
Longueur	6mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	0.85mm
Tension directe de la diode	1.3V

MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 100 A 60 V, 8 broches

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Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon