MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 10 A 100 V, 8 broches

Code commande RS:: 130-0977P
Référence fabricant:: IRFH5210TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 10 A 100 V, 8 broches

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Code commande RS:: 130-0977P
Référence fabricant:: IRFH5210TRPBF
Marque:: Infineon

IRFH5210PbF, HEXFET Power MOSFET 100V

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	10 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	PQFN 5 x 6
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	14,9 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	104 W
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	40 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	5mm
Largeur	6mm
Hauteur	0.9mm
Tension directe de la diode	1.3V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 10 A 100 V, 8 broches

Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon