MOSFET Vishay canal P, TSOP-6 8 A 20 V, 6 broches
- Code commande RS:
- 134-9713
- Référence fabricant:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
25 - 225 | 0,275 € | 6,875 € |
250 - 600 | 0,258 € | 6,45 € |
625 - 1225 | 0,233 € | 5,825 € |
1250 - 2475 | 0,22 € | 5,50 € |
2500 + | 0,206 € | 5,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 134-9713
- Référence fabricant:
- SI3493DDV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 8 A |
Tension Drain Source maximum | 20 V |
Type de boîtier | TSOP-6 |
Série | TrenchFET |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 6 |
Résistance Drain Source maximum | 51 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 1V |
Tension de seuil minimale de la grille | 0.4V |
Dissipation de puissance maximum | 3,6 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
Longueur | 3.1mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Charge de Grille type @ Vgs | 34,8 nC @ -8 V |
Largeur | 1.7mm |
Tension directe de la diode | 1.2V |
Hauteur | 1mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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