MOSFET P Vishay 8 A 20 V Enrichissement, 6 broches, TSOP TrenchFET

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Code commande RS:
134-9155
Référence fabricant:
SI3493DDV-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

TSOP

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

51mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

34.8nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

3.6W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1mm

Longueur

3.1mm

Largeur

1.7mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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