MOSFET Vishay canal P, TSOP-6 8 A 12 V, 6 broches
- Code commande RS:
- 812-3160
- Référence fabricant:
- SI3477DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,579 €
HT
0,695 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,579 € | 11,58 € |
| 200 - 480 | 0,544 € | 10,88 € |
| 500 - 980 | 0,521 € | 10,42 € |
| 1000 - 1980 | 0,463 € | 9,26 € |
| 2000 + | 0,434 € | 8,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 812-3160
- Référence fabricant:
- SI3477DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 8 A |
| Tension Drain Source maximum | 12 V |
| Type de boîtier | TSOP-6 |
| Série | TrenchFET |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 6 |
| Résistance Drain Source maximum | 33 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.4V |
| Dissipation de puissance maximum | 4,2 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -10 V, +10 V |
| Longueur | 3.1mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 1.7mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1mm |
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