MOSFET P Vishay 8 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSOP TrenchFET
- Code commande RS:
- 180-7281
- Référence fabricant:
- SI3421DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7281
- Référence fabricant:
- SI3421DV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 19.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 21nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.7W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2.98mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 3.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 19.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 21nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.7W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2.98mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 3.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 19,2 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 4,2 W et d'un courant de drain continu de 8 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateur d'adaptateur
• Convertisseur c.c./c.c.
Pour l'informatique mobile/grand public
• Commutateurs de charge
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
Testé par l'ISU
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