Références fabricant

MOSFET 2 canal Type N, Type P Double Vishay 3.9 A 20 V Enrichissement, 6 broches, TSOP TrenchFET Non

Code commande RS:: 180-7282
Référence fabricant:: SI3585CDV-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET 2 canal Type N, Type P Double Vishay 3.9 A 20 V Enrichissement, 6 broches, TSOP TrenchFET Non

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

582,00 €

699,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 01 juillet 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,194 €	582,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-7282
Référence fabricant:: SI3585CDV-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type N, Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	3.9A
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Série	TrenchFET
	Type de Boitier	TSOP
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.195
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	3.2nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	12V
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.4W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Double
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.65mm
	Longueur	3.05mm
	Hauteur	1mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type N, Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 3.9A
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Série TrenchFET
	Type de Boitier TSOP
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.195
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.2nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 12V
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.4W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Double
	Normes/homologations No
	Largeur 1.65mm
	Longueur 3.05mm
	Hauteur 1mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux P et N) est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 20 V. Le transistor MOSFET est doté d'une résistance drain-source de 58 Mohm à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté de courants de drain continus de 3,9 A et 2,1 A. Sa puissance nominale maximale est de 1,4 W et 1,3 W. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

• Sans halogène

Sans plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Applications

• Convertisseurs c.c./c.c.

• Conducteurs : moteur, solénoïde, relais

Commutateur de charge pour les appareils portables

Certifications

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

• testé Rg

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.