MOSFET Vishay canal N/P, TSOP-6 3,9 A, 2,1 A 20 V, 6 broches

Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux P et N) est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 20 V. Le transistor MOSFET est doté d'une résistance drain-source de 58 Mohm à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté de courants de drain continus de 3,9 A et 2,1 A. Sa puissance nominale maximale est de 1,4 W et 1,3 W. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• Convertisseurs c.c.-c.c.
• Conducteurs : moteur, solénoïde, relais
Commutateur de charge pour les appareils portables

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg