- Code commande RS:
- 180-7911
- Référence fabricant:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
En stock à partir du 28/06/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,457 €
HT
0,548 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
20 - 180 | 0,457 € | 9,14 € |
200 - 480 | 0,448 € | 8,96 € |
500 - 980 | 0,343 € | 6,86 € |
1000 - 1980 | 0,269 € | 5,38 € |
2000 + | 0,206 € | 4,12 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 180-7911
- Référence fabricant:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux P et N) est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 20 V. Le transistor MOSFET est doté d'une résistance drain-source de 58 Mohm à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté de courants de drain continus de 3,9 A et 2,1 A. Sa puissance nominale maximale est de 1,4 W et 1,3 W. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Convertisseurs c.c.-c.c.
• Conducteurs : moteur, solénoïde, relais
Commutateur de charge pour les appareils portables
• Conducteurs : moteur, solénoïde, relais
Commutateur de charge pour les appareils portables
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N, P |
Courant continu de Drain maximum | 3,9 A, 2,1 A |
Tension Drain Source maximum | 20 V |
Série | TrenchFET |
Type de boîtier | TSOP-6 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 6 |
Résistance Drain Source maximum | 0,058 O, 0,195 O |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 1.5V |
Nombre d'éléments par circuit | 2 |